- 土地面积：82.5 亩
- 土地价格：面议
- 使用年限：0年
- 合作方式： 土地转让
- 所在地区：黑龙江-哈尔滨
- 项目类型：新城新区
- 更新时间：2015-03-07
- 用地性质： 其它
- 基本信息
- 项目简介
- 位置地图
- 网友评论
项目简介
MOCVD是金属有机化合物化学气相淀积的英文缩写。MOCVD是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。通常MOCVD系统中的晶体生长都是在常压或低压(10-100Torr)下通H2的冷壁石英(不锈钢)反应室中进行，衬底温度为500-1200℃,用射频感应加热石墨基座(衬底基片在石墨基座上方),H2通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区。MOCVD适用范围广泛，几乎可以生长所有化合物及合金半导体 非常适合于生长各种异质结构材料 可以生长超薄外延层，并能获得很陡的界面过渡 生长易于控制,可以生长纯度很高的材料 外延层大面积均匀性良好 可以进行大规模生产。因此，目前国内外LED衬底片都大量使用MOCVD设备进行外延生长。随着LED市场的急剧升温，2010年LED-TV市场普及率达到15%，2011年预计能够达到50%，而且LED背光源在笔记本计算机上渗透率也逐年提高，此外，LED照明市场也在迅速提升，预计缺货的情形将持续至2015年左右。项目建设规模及内容：本项目占地面积55000平方米，建筑面积48600平方米，新增MOCVD设备及其配套加工和检测设备共102台套，建成5条蓝宝石衬底片MOCVD生产线，形成年产120万片大尺寸蓝宝石外延片的生产能力。项目投资估算：总投资65000万元人民币，拟引进资金23400万元。项目建成后预期经济效益：年销售收入85800万元，税后利润21450万元，税金8508万元。
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